ماسفت SPA20N60C3

ماسفت SPA20N60C3 :

ماسفت SPA20N60C3 از نوع منفی (NPN) و دارای آستانه تحمل ولتاژ 600 ولت و جریان حدود 20 آمپر میباشد.

دیتاشیت ماسفت 20n60 :

ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.

در ادامه مشخصات ماسفت SPA20N60C3 را مشاهده میکنید.

اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد.

در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها. به سبب نبود علم و ابزار و امکان. با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند. و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند.

در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به ماسفِت‌ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند.

در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود.

از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود. هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد. و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.

عمده تفاوت ماسفِت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفِت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO₂) از کانال مجزا شده‌است.

به این دلیل به ماسفِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم‌اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، N channel یا P channel نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، P channel ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود.

اما از آن جا که ساختنِ N channel آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از P channel پیشی گرفت.

برای خواندن مقاله کامل اینجا کلیک کنید.