ترانزیستور ماسفت LSB65R041GF

ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. در ادامه مشخصات ماسفت LSB65R041GF را مشاهده میکنید. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها. به سبب نبود علم برای پنج دهه فراموش شدند. و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به ماسفِت‌ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند. در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند.

توضیح مختصر ترانزیستورهای ماسفِت

در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود. هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد. و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفِت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفِت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO₂) از کانال مجزا شده‌است. (ماسفت LSB65R041GF)     به این دلیل به ماسفِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود. مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ماسفت را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم‌اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند. ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، N channel یا P channel نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، P channel ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ N channel آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از P channel پیشی گرفت. برای خواندن مقاله کامل اینجا کلیک کنید.

ترانزیستور ماسفت LSB65R041GF :

ترانزیستور LSB65R041GF از نوع منفی (NPN) و دارای آستانه تحمل ولتاژ 650 ولت و جریان حدود 74 آمپر میباشد. دانلود دیتاشیت ماسفت LSB65R041GF : دانلود دیتاشیت